Mihai Adrian Ionescu

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Nationalité : Swiss and Romanian

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EPFL STI IEL NANOLAB
ELB 335 (Bâtiment ELB)
Station 11
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Données administratives

Biographie

D'origine et de nationalités roumaine et suisse, Mihai-Adrian Ionescu est né en 1965. Après le doctorat en Physique des Composants à Semiconducteurs de lInstitut National Polytechnique de Grenoble, M. Ionescu a travaillé comme chercheur post-doctoral au LETI-CEA Grenoble, sur la caractérisation des diélectriques low-k pour les technologies submicroniques CMOS. Après une courte période au sein du CNRS, comme chargé de recherche 1ere Classe il a effectué un séjour post-doctoral au Center for Integrated Systems, Stanford University, USA. Actuellement il est Professeur Nanoélectronique à lEcole Polytechnique Fédérale de Lausanne.

Enseignement & Phd

Enseignement

Electrical and Electronics Engineering

Programmes doctoraux

Doctoral Program in Microsystems and Microelectronics

Doctoral Program in Electrical Engineering

Doctorants

Bersano Fabio, Capua Luca, Gastaldi Carlotta, Gilani Ali, Kamaei Bahmaei Sadegh, Li Hung-Wei, Qaderi Rahaqi Fatemeh, Rosca Teodor, Sprunger Yann Christophe,

A dirigé les thèses EPFL de

Abelé Nicolas , Acquaviva Donatello , Alper Cem , Anghel Costin , Arun Anupama , Bartsch Sebastian Thimotee , Bellando Francesco , Bhandari Jyotshna , Biswas Arnab , Bopp Matthieu , Boucart Katherine , Buitrago Godinez Elizabeth , Cao Ji , Casu Emanuele Andrea , Chauhan Yogesh Singh , Ciressan Nicoleta-Diana , Convertino Clarissa , Corti Elisabetta , Cutaia Davide , Cvetkovic Nenad , Dagtekin Nilay , De Michielis Luca , Ecoffey Serge , Fernandez-Bolanos Badia Montserrat , Fritschi Raphaël , Garcia Cordero Erick Antonio , Ghoneim Hesham , Grogg Daniel , Guérin Hoël Maxime , Hefiana Nasser , Hermersdorf Marion , Lattanzio Livio , Mahapatra Santanu , Maqueda López Mariazel de la Candelas , Mehdaoui Alexander , Moldovan Clara-Fausta , Moridi Negar , Moselund Kirsten Emilie , Najmzadeh Mohammad , Oliva Nicolò , Pisani Marcelo Bento , Pott Vincent , Rigante Sara , Rupakula Maneesha , Rusu Alexandru , Saeidi Ali , Salvatore Giovanni Antonio , Sharma Pankaj , Tamagnone Michele , Vitale Wolfgang Amadeus , Zhang Junrui ,

Cours

Dispositifs micro- nanoélectroniques

Ce cours est une introduction aux principes physiques des composants à semiconducteurs (transistors bipolaires, MOSFET et autres) et à leur modèlisation. Les performances électriques (digitales et analogiques) et leur implémentation technologique sont discutés.

Nanoelectronics

Ce cours présente les tendances actuelles en technologie et dispositifs nanoélectroniques en termes de réduction des dimensions, meilleures performances, nouvelles fonctionalités et ultra-basse consommation. Les défis des nouveaux nanocomposants pour pousser les roadmaps industriels sont analysés.

Semiconductor devices II

Students will learn about understanding the fundamentals and applications of emerging nanoscale devices, materials and concepts. Remark: at least 5 students should be enrolled for the course to be given

Nanoscale MOSFETs and beyond CMOS devices

(Fiche de cours pas encore validée par la section)

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