Mihai Adrian Ionescu
adrian.ionescu@epfl.ch +41 21 693 39 78 http://nanolab.epfl.ch
Nationalité: Swiss and Romanian
EPFL STI IEL NANOLAB
ELB 335 (Bâtiment ELB)
Station 11
CH-1015 Lausanne
+41 21 693 39 78
+41 21 693 39 79
Local:
ELB 335
EPFL
>
STI
>
IEM
>
NANOLAB
Web site: Site web: https://nanolab.epfl.ch/
EPFL AVP-PGE EDMI-ENS
ELB 112 (Bâtiment ELB)
Station 11
CH-1015 Lausanne
+41 21 693 39 78
Local:
ELB 112
EPFL
>
VPA
>
VPA-AVP-PGE
>
AVP-PGE-EDOC
>
EDMI-ENS
EPFL AVP CP CMI-CD
BM 3126 (Bâtiment BM)
Station 17
CH-1015 Lausanne
+41 21 693 39 78
Local:
BM 3126
EPFL
>
VPA
>
VPA-AVP-CP
>
CMI
>
CMI-CD
Xsensio SA
EPFL Innovation Park
Bâtiment A
CH-1015 Lausanne
Biographie
D'origine et de nationalités roumaine et suisse, Mihai-Adrian Ionescu est né en 1965. Après le doctorat en Physique des Composants à Semiconducteurs de lInstitut National Polytechnique de Grenoble, M. Ionescu a travaillé comme chercheur post-doctoral au LETI-CEA Grenoble, sur la caractérisation des diélectriques low-k pour les technologies submicroniques CMOS. Après une courte période au sein du CNRS, comme chargé de recherche 1ere Classe il a effectué un séjour post-doctoral au Center for Integrated Systems, Stanford University, USA. Actuellement il est Professeur Nanoélectronique à lEcole Polytechnique Fédérale de Lausanne.Publications
Publications Infoscience
Nombre de notices chargées.
Infoscience
Nombre de notices chargées.
Enseignement & Phd
Enseignement
Electrical and Electronics Engineering
Programmes doctoraux
Doctoral Program in Microsystems and Microelectronics
Doctoral Program in Electrical Engineering
Doctorants
Bersano Fabio, Capua Luca, Gastaldi Carlotta, Gilani Ali, Kamaei Bahmaei Sadegh, Li Hung-Wei, Qaderi Rahaqi Fatemeh, Rosca Teodor, Sprunger Yann Christophe,A dirigé les thèses EPFL de
Abelé Nicolas , Acquaviva Donatello , Alper Cem , Anghel Costin , Arun Anupama , Bartsch Sebastian Thimotee , Bellando Francesco , Bhandari Jyotshna , Biswas Arnab , Bopp Matthieu , Boucart Katherine , Buitrago Godinez Elizabeth , Cao Ji , Casu Emanuele Andrea , Chauhan Yogesh Singh , Ciressan Nicoleta-Diana , Convertino Clarissa , Corti Elisabetta , Cutaia Davide , Cvetkovic Nenad , Dagtekin Nilay , De Michielis Luca , Ecoffey Serge , Fernandez-Bolanos Badia Montserrat , Fritschi Raphaël , Garcia Cordero Erick Antonio , Ghoneim Hesham , Grogg Daniel , Guérin Hoël Maxime , Hefiana Nasser , Hermersdorf Marion , Lattanzio Livio , Mahapatra Santanu , Maqueda López Mariazel de la Candelas , Mehdaoui Alexander , Moldovan Clara-Fausta , Moridi Negar , Moselund Kirsten Emilie , Najmzadeh Mohammad , Oliva Nicolò , Pisani Marcelo Bento , Pott Vincent , Rigante Sara , Rupakula Maneesha , Rusu Alexandru , Saeidi Ali , Salvatore Giovanni Antonio , Sharma Pankaj , Tamagnone Michele , Vitale Wolfgang Amadeus , Zhang Junrui ,Cours
Dispositifs micro- nanoélectroniques
Nanoelectronics
Semiconductor devices II
Nanoscale MOSFETs and beyond CMOS devices
(2) Phenomena specific to deep submicron devices:
- non-stationary phenomena (velocity overshoot)
- ballistic transport
- quantum effects
- atomic scale parameter fluctuation (fluctuation of number of dopants, interface roughness)
(3) Emerging mult